Дата: 4/19/2025 | Время: 8:30:38 PM
| Ваш IP: 18.222.35.126 | Online(18) - гости: 5, боты: 13 | Загрузка сервера: 0.72 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора IRG4IBC30W
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора IRG4IBC30W
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 45W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 8.4A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 75-150KHz
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 980pF
- Производитель: IRF
- Тип корпуса: ISO220
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | IRG4IBC30KD | N-Channel | 45W | 600V | 2.21V | 600V | ±20V | 9.2A | 10-100KHz | 920pF | ISO220 | |
|
|
|
Просмотров: 322 909