| Ваш IP: 18.118.149.55 | Online(63) - гости: 12, боты: 51 | Загрузка сервера: 1.43 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора IRG4IBC30KD
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры IGBT транзистора IRG4IBC30KD

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 45W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.21V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 9.2A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 10-100KHz
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 920pF
  • Производитель: IRF
  • Тип корпуса: ISO220
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
IRG4IBC30WN-Channel45W600V2.1V600V±20V8.4A75-150KHz980pFISO220
Просмотров: 309 807