Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора 2N6975Основные параметры IGBT транзистора 2N6975
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 100W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 400V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.5V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 400V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
- Время включения/выключения (Fr): 50/400nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: TO3
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус| 2N6977 | N-Channel | 100W | 400V | 4.5V | 400V | ±20V | 5A | 50/400nS | | TO3 | |
|
| |
| |
Просмотров: 309 407