Дата: 4/6/2025 | Время: 11:30:15 AM
| Ваш IP: 18.216.229.154 | Online(25) - гости: 11, боты: 14 | Загрузка сервера: 1.57 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTG20N120E2
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора HGTG20N120E2
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 150W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 1200V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 1200V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 34A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 100/520nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: TO247
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | G20N120E2 | N-Channel | 150W | 1200V | 2.9V | 1200V | ±20V | 34A | 100/520nS | | TO247 | |
|
|
|
Просмотров: 321 295