| Ваш IP: 3.12.36.45 | Online(56) - гости: 17, боты: 39 | Загрузка сервера: 0.99 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTG20N120E2
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора HGTG20N120E2

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 150W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 1200V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 1200V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 34A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 100/520nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: TO247
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
G20N120E2N-Channel150W1200V2.9V1200V±20V34A100/520nSTO247
Просмотров: 309 275