Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора G12N60D1Основные параметры IGBT транзистора G12N60D1
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 75W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 21A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 100/430nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: TO220
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | КорпусHGTP12N60D1 | N-Channel | 75W | 600V | 1.9V | 600V | ±20V | 21A | 100/430nS | | TO220 | |
|
|
| |
Просмотров: 310 012