| Ваш IP: 3.137.222.157 | Online(41) - гости: 23, боты: 18 | Загрузка сервера: 3.17 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTP12N60D1
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора HGTP12N60D1

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 75W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 21A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 100/430nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: TO220
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
G12N60D1N-Channel75W600V1.9V600V±20V21A100/430nSTO220
Просмотров: 300 482