Дата: 4/6/2025 | Время: 12:52:19 PM
| Ваш IP: 18.222.172.32 | Online(35) - гости: 17, боты: 18 | Загрузка сервера: 1.26 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGT1S12N60C3S
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора HGT1S12N60C3S
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 104W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 24A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 14/270nS
- Производитель: INTERSIL
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | IXSA12N60AU1 | N-Channel | 100W | 600V | 2.5V | 600V | ±20V | 24A | 30/100nS | | DPAK | | HGTP12N60C3 | N-Channel | 104W | 600V | 2V | 600V | ±20V | 24A | 14/270nS | | TO220 | | HGT1S12N60C3SA | N-Channel | 104W | 600V | 2V | 600V | ±20V | 24A | 14/270nS | | DPAK | | TA49123 | N-Channel | 104W | 600V | 2V | 600V | ±20V | 24A | 14/270nS | | TO247 | | P12N60C3 | N-Channel | 104W | 600V | 2V | 600V | ±20V | 24A | 14/270nS | | TO220 | | HGT1S12N60C3 | N-Channel | 104W | 600V | 2V | 600V | ±20V | 24A | 14/270nS | | IPAK | | S12N60C3 | N-Channel | 104W | 600V | 2V | 600V | ±20V | 24A | 14/270nS | | IPAK | | HGT1S12N60C3S9A | N-Channel | 104W | 600V | 2V | 600V | ±20V | 24A | 14/270nS | | DPAK | |
|
|
|
Просмотров: 321 299