Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGT1S12N60C3DSОсновные параметры IGBT транзистора HGT1S12N60C3DS
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 104W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 24A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 28/270nS
- Производитель: INTERSIL
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус| HGTP12N60C3D | N-Channel | 104W | 600V | 1.65V | 600V | ±20V | 24A | 28/270nS | | TO220 | | HGT1S12N60C3D | N-Channel | 104W | 600V | 1.65V | 600V | ±20V | 24A | 28/270nS | | IPAK | | HGT1S12N60C3DS9A | N-Channel | 104W | 600V | 1.65V | 600V | ±20V | 24A | 28/270nS | | DPAK | | 12N60C3D | N-Channel | 104W | 600V | 1.65V | 600V | ±20V | 24A | 28/270nS | | TO220 | | TA49182 | N-Channel | 104W | 600V | 1.65V | 600V | ±20V | 24A | 28/270nS | | TO220 | |
|
| |
| |
Просмотров: 309 266