Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD10N40F1S9AОсновные параметры IGBT транзистора HGTD10N40F1S9A
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 75W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 400V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 400V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 12A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 45/130nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус| HGTP14N40F3VL | N-Channel | 83W | 400V | 2V | 400V | ±10V | 14A | 16µS | | TO220 | | HGTP6N40E1D | N-Channel | 75W | 400V | 2.9V | 400V | ±20V | 10A | 90/24nS | | TO220 | | G6N40E1D | N-Channel | 75W | 400V | 2.9V | 400V | ±20V | 10A | 90/24nS | | TO220 | | HGTP10N40C1D | N-Channel | 75W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | 10N40C1D | N-Channel | 75W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | HGTP10N40E1D | N-Channel | 75W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | 10N40E1D | N-Channel | 75W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | HGTP10N40F1D | N-Channel | 75W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 12A | 45/130nS | | TO220 | | 10N40F1D | N-Channel | 75W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 12A | 45/130nS | | TO220 | | HGTD10N40F1 | N-Channel | 75W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 12A | 45/130nS | | IPAK | | HGTD10N40F1S | N-Channel | 75W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 12A | 45/130nS | | DPAK | | G10N40 | N-Channel | 75W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 12A | 45/130nS | | DPAK | |
|
| |
| |
Просмотров: 309 555