| Ваш IP: 18.226.200.93 | Online(69) - гости: 13, боты: 56 | Загрузка сервера: 0.96 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MSAHX75L60D
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора MSAHX75L60D

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: P-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 75A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 50/1000nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 4000pF
  • Производитель: MICROSEMI
  • Тип корпуса: COOLPACK
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 309 302