Дата: 4/6/2025 | Время: 7:42:36 PM
| Ваш IP: 18.221.100.52 | Online(27) - гости: 9, боты: 18 | Загрузка сервера: 1.6 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MSAHX75L60D
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора MSAHX75L60D
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 75A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 50/1000nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 4000pF
- Производитель: MICROSEMI
- Тип корпуса: COOLPACK
- Найти datasheet
|
|
|
Просмотров: 321 354