Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MSAHX60F60BОсновные параметры IGBT транзистора MSAHX60F60B
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 60A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 25/250nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2500pF
- Производитель: MICROSEMI
- Тип корпуса: COOLPACK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус| MSAGX60F60B | P-Channel | 300W | 600V | 2.9V | 600V | ±20V | 60A | 25/250nS | 2500pF | COOLPACK | |
|
| |
| |
Просмотров: 310 011