Дата: 4/6/2025 | Время: 5:50:03 PM
| Ваш IP: 3.137.153.39 | Online(36) - гости: 13, боты: 23 | Загрузка сервера: 0.31 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора APT33GF120LRD
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора APT33GF120LRD
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 1200V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 1200V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 33A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 30/155nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2200pF
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: TO264
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | APT33GF120B2RD | N-Channel | 300W | 1200V | 2.7V | 1200V | ±20V | 33A | 30/155nS | 2200pF | TMAX | |
|
|
|
Просмотров: 321 323