Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора G10N50E1Основные параметры IGBT транзистора G10N50E1
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 60W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 500V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.5V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 500V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 10A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
- Время включения/выключения (Fr): 50/400nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: TO220
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус| HGTP10N40C1 | N-Channel | 60W | 400V | 4.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | HGTP10N40E1 | N-Channel | 60W | 400V | 4.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | G10N40E1 | N-Channel | 60W | 400V | 4.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | G10N40C1 | N-Channel | 60W | 400V | 4.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | HGTP10N50E1 | N-Channel | 60W | 500V | 4.5V | 500V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | HGTP10N50C1 | N-Channel | 60W | 500V | 4.5V | 500V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | G10N50C1 | N-Channel | 60W | 500V | 4.5V | 500V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | |
|
| |
| |
Просмотров: 310 004