| Ваш IP: 3.138.37.69 | Online(80) - гости: 18, боты: 62 | Загрузка сервера: 1.97 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTP10N40E1
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора HGTP10N40E1

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 60W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 400V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.5V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 400V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 10A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
  • Время включения/выключения (Fr): 50/400nS
  • Производитель: HARRIS
  • Тип корпуса: TO220
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTP10N40C1N-Channel60W400V4.5V400V±20V10A50/400nSTO220
G10N40E1N-Channel60W400V4.5V400V±20V10A50/400nSTO220
G10N40C1N-Channel60W400V4.5V400V±20V10A50/400nSTO220
Просмотров: 309 991