Дата: 4/6/2025 | Время: 7:59:01 PM
| Ваш IP: 18.222.197.132 | Online(30) - гости: 9, боты: 21 | Загрузка сервера: 0.71 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTP10N40E1
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора HGTP10N40E1
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 60W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 400V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.5V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 400V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 10A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
- Время включения/выключения (Fr): 50/400nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: TO220
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | HGTP10N40C1 | N-Channel | 60W | 400V | 4.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | G10N40E1 | N-Channel | 60W | 400V | 4.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | | G10N40C1 | N-Channel | 60W | 400V | 4.5V | 400V | ±20V | 10A | 50/400nS | | TO220 | |
|
|
|
Просмотров: 321 356