Дата: 4/6/2025 | Время: 2:47:23 PM
| Ваш IP: 3.12.76.129 | Online(34) - гости: 21, боты: 13 | Загрузка сервера: 1.39 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD6N40E1S
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора HGTD6N40E1S
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 60W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 400V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 400V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 7.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 90/24nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | HGTD6N40E1 | N-Channel | 60W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | IPAK | | G6N40E | N-Channel | 60W | 400V | 2.5V | 400V | ±20V | 7.5A | 90/24nS | | IPAK | |
|
|
|
Просмотров: 321 310