Дата: 4/6/2025 | Время: 3:05:11 PM
| Ваш IP: 18.223.149.135 | Online(35) - гости: 17, боты: 18 | Загрузка сервера: 2.41 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора HGTD3N60C3
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора HGTD3N60C3
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 33W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 5/325nS
- Производитель: HARRIS
- Тип корпуса: IPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | HGTD3N60C3S | N-Channel | 33W | 600V | 1.65V | 600V | ±20V | 6A | 5/325nS | | DPAK | | IRG4IBC20UD | N-Channel | 34W | 600V | 1.85V | 600V | ±20V | 6A | 10-100KHz | 530pF | ISO220 | | G3N60C | N-Channel | 33W | 600V | 1.65V | 600V | ±20V | 6A | 5/325nS | | DPAK | | HGTD3N60C3S9A | N-Channel | 33W | 600V | 1.65V | 600V | ±20V | 6A | 5/325nS | | DPAK | |
|
|
|
Просмотров: 321 312