Дата: 4/6/2025 | Время: 5:50:03 PM
| Ваш IP: 3.137.153.39 | Online(36) - гости: 13, боты: 23 | Загрузка сервера: 0.31 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MSAHZ52F120B
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора MSAHZ52F120B
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 1200V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.2V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 1200V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 52A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 95/420nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2200pF
- Производитель: MICROSEMI
- Тип корпуса: COOLPACK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | MSAGZ52F120B | P-Channel | 300W | 1200V | 3.2V | 1200V | ±20V | 52A | 95/420nS | 2200pF | COOLPACK | | PPNGZ52F120B | P-Channel | 300W | 1200V | 3.2V | 1200V | ±20V | 52A | 110/560nS | 2200pF | TO258 | | PPNHZ52F120B | P-Channel | 300W | 1200V | 3.2V | 1200V | ±20V | 52A | 110/560nS | 2200pF | TO258 | |
|
|
|
Просмотров: 321 325