Дата: 4/6/2025 | Время: 8:23:04 PM
| Ваш IP: 13.58.245.201 | Online(30) - гости: 7, боты: 23 | Загрузка сервера: 0.18 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора MSAGX75F60B
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора MSAGX75F60B
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 300W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 75A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 50/280Ns
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 4000pF
- Производитель: MICROSEMI
- Тип корпуса: COOLPACK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | MSAGX60F60B | P-Channel | 300W | 600V | 2.9V | 600V | ±20V | 60A | 25/250nS | 2500pF | COOLPACK | | MSAHX60F60B | P-Channel | 300W | 600V | 2.9V | 600V | ±20V | 60A | 25/250nS | 2500pF | COOLPACK | |
|
|
|
Просмотров: 321 367