Дата: 4/6/2025 | Время: 7:59:01 PM
| Ваш IP: 18.222.197.132 | Online(29) - гости: 8, боты: 21 | Загрузка сервера: 0.74 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора IXSH30N60A
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора IXSH30N60A
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 200W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 50A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 60/400nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2760pF
- Производитель: IXYS
- Тип корпуса: TO247
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | IXSH30N60AU1 | N-Channel | 200W | 600V | 3V | 600V | ±20V | 50A | 60/400nS | 2760pF | TO247 | | IXSM30N60A | N-Channel | 200W | 600V | 3V | 600V | ±20V | 50A | 60/400nS | 2760pF | TO3 | |
|
|
|
Просмотров: 321 360