| Ваш IP: 3.22.242.7 | Online(48) - гости: 17, боты: 30 | Загрузка сервера: 1.75 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора IXSM30N60A
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора IXSM30N60A

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 200W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 50A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 60/400nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 2760pF
  • Производитель: IXYS
  • Тип корпуса: TO3
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
IXSH30N60AU1N-Channel200W600V3V600V±20V50A60/400nS2760pFTO247
IXSH30N60AN-Channel200W600V3V600V±20V50A60/400nS2760pFTO247
Просмотров: 310 006