| Ваш IP: 3.144.114.8 | Online(68) - гости: 9, боты: 59 | Загрузка сервера: 0.84 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора STGB7NB60HD
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры IGBT транзистора STGB7NB60HD

  • Структура (технология): IGBT
  • Тип канала: N-Channel
  • Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 80W
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
  • Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
  • Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
  • Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 14A
  • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  • Время включения/выключения (Fr): 15/48nS
  • Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 390pF
  • Производитель: STE
  • Тип корпуса: DPAK
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Тип каналаPc (W)Uce (V)Ucesat (V)Ucg (V)Id (A)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.КаналPd maxUce maxUcesatUcg maxUeb maxId maxFrCc tipКорпус
HGTP10N50F1DN-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSTO220
10N50F1DN-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSTO220
HGTD10N50F1N-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSIPAK
G10N50N-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSIPAK
HGTD10N50F1SN-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSDPAK
HGTD10N50F1S9AN-Channel75W500V2.5V500V±20V12A45/130nSDPAK
Просмотров: 309 336