Дата: 4/13/2025 | Время: 2:36:53 PM
| Ваш IP: 18.117.85.183 | Online(27) - гости: 9, боты: 18 | Загрузка сервера: 0.93 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры IGBT транзистора STGB7NB60HD
Онлайн справочник - IGBT транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры IGBT транзистора STGB7NB60HD
- Структура (технология): IGBT
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc max): 80W
- Предельное постоянное напряжение коллектор - эмиттер (Uce max): 600V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.8V
- Предельное постоянное напряжение коллектор - затвор (Ucg max): 600V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер - затвор (Ueb max): ±20V
- Предельный постоянный ток коллектора (Ic max): 14A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 15/48nS
- Типовое значение емкости коллектора (Cc tip): 390pF
- Производитель: STE
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Канал | Pd max | Uce max | Ucesat | Ucg max | Ueb max | Id max | Fr | Cc tip | Корпус | | HGTP10N50F1D | N-Channel | 75W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 12A | 45/130nS | | TO220 | | 10N50F1D | N-Channel | 75W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 12A | 45/130nS | | TO220 | | HGTD10N50F1 | N-Channel | 75W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 12A | 45/130nS | | IPAK | | G10N50 | N-Channel | 75W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 12A | 45/130nS | | IPAK | | HGTD10N50F1S | N-Channel | 75W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 12A | 45/130nS | | DPAK | | HGTD10N50F1S9A | N-Channel | 75W | 500V | 2.5V | 500V | ±20V | 12A | 45/130nS | | DPAK | |
|
|
|
Просмотров: 321 882