| Ваш IP: 18.118.144.254 | Online(66) - гости: 55, боты: 11 | Загрузка сервера: 1.56 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB195
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB195

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: SANYO
  • Корпус: TO8
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
ACY34 Gepnp200mW30V10V10V100mA500KHz20 (min) TO1
Просмотров: 2 525 917