| Ваш IP: 18.117.106.23 | Online(53) - гости: 4, боты: 49 | Загрузка сервера: 0.67 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB190
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB190

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 90mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 80°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 75 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: SANYO
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SB335 Gepnp83mW20V12V10V60mA400KHz70TO1
2SB336 Gepnp83mW20V12V10V60mA400KHz80TO1
OC602 Gepnp80mW22V12V10V50mA300KHz20 ... 50X01
OC603 Gepnp80mW22V12V10V50mA250KHz20 ... 150X01
OC604 Gepnp80mW22V12V10V50mA300KHz50 ... 150X01
Просмотров: 3 092 902