| Ваш IP: 18.188.175.66 | Online(45) - гости: 6, боты: 39 | Загрузка сервера: 0.43 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB169
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2SB169

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 9V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 85
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: FUJITSU
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 091 825