| Ваш IP: 3.135.247.17 | Online(48) - гости: 7, боты: 41 | Загрузка сервера: 0.18 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB152
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB152

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 60V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 60V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 75
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: FUJITSU
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N561 Gepnp50W80V65V60V5A100KHz20 ... 50TO3
2SB128A Gepnp40W120V60V60V6A60KHz15 ... 35TO3
2SB129A Gepnp40W120V60V60V6A60KHz30 ... 80TO3
2SB151 Gepnp50W80V60V60V5A200KHz30 ... 75TO3
TA1682 Gepnp50W80V65V60V5A100KHz20 ... 50TO3
Просмотров: 3 091 965