| Ваш IP: 18.118.154.237 | Online(52) - гости: 7, боты: 45 | Загрузка сервера: 0.19 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB135
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB135

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: MITSUBISHI
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N584 Gepnp120mW25V14V12V100mA8MHz40 (min) TO1
GET897 Gepnp120mW25V15V12V100mA2MHz20 (min) TO5
GET898 Gepnp120mW25V15V12V100mA2MHz62 (min) TO5
TA1697 Gepnp120mW25V14V12V100mA8MHz40 (min) TO1
Просмотров: 3 092 202