| Ваш IP: 18.117.78.87 | Online(70) - гости: 13, боты: 57 | Загрузка сервера: 0.44 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB1222
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB1222

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 165°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 160
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO236
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
AC132 Gepnp500mW32V12V10V200mA1MHz135TO1
AC132-01 Gepnp500mW32V12V10V200mA1MHz135X04
Просмотров: 3 091 500