| Ваш IP: 18.188.112.220 | Online(92) - гости: 84, боты: 8 | Загрузка сервера: 0.32 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB1119U
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB1119U

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 750mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 9V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 9V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 165°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 280 ... 560
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 25 pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: SP0
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 2 524 008