| Ваш IP: 18.117.232.215 | Online(58) - гости: 14, боты: 44 | Загрузка сервера: 0.38 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB1116
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB1116

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 750mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 9V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 9V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 165°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 ... 160
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 090 907