| Ваш IP: 3.137.180.62 | Online(112) - гости: 56, боты: 56 | Загрузка сервера: 0.75 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB1032
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB1032

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 120V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 165°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 1K ... 20K
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO-3P
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 090 812