| Ваш IP: 3.135.191.232 | Online(79) - гости: 70, боты: 9 | Загрузка сервера: 0.38 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SAB32
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SAB32

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SA27 Gepnp125mW18V--50mA20MHz30 (min) TO44-2
2SA401 Gepnp125mW20V--40mA100MHz70TO44-2
2SA475 Gepnp120mW20V--50mA12MHz70TO1
40359 Gepnp120mW20V--50mA-20 (min) TO18
Просмотров: 2 523 967