| Ваш IP: 3.147.71.175 | Online(59) - гости: 13, боты: 46 | Загрузка сервера: 2.56 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SA55
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SA55

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 12 pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: R27
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
NKT72 Gepnp75mW15V10V10V10mA8MHz40 (min) TO5
NKT73 Gepnp75mW15V10V10V10mA4MHz25 (min) TO1
NKT74 Gepnp75mW15V10V10V10mA2MHz30 (min) TO1
OC44 Gepnp83mW15V12V12V10mA8MHz100X01
Просмотров: 3 088 877