| Ваш IP: 18.191.93.18 | Online(57) - гости: 9, боты: 48 | Загрузка сервера: 1.76 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SA211
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SA211

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 120mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 25 pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1265 Gepnp100mW20V10V10V100mA1MHz25 ... 90TO5
2N1265-5 Gepnp100mW20V10V10V100mA1MHz6 ... 18TO5
ASY56N Gepnp100mW16V10V12V100mA2MHz25 (min) TO1
ASY57N Gepnp100mW16V10V12V100mA4MHz30 (min) TO1
ASY58N Gepnp100mW16V10V12V100mA7MHz40 (min) TO1
ASY59N Gepnp100mW16V10V12V100mA12MHz60 (min) TO1
Просмотров: 3 088 629