Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1370-OОсновные параметры биполярного транзистора 2N1370-O
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 ... 60
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: ELN
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| ACY35 |
Ge | pnp | 200mW | 30V | 10V | 10V | 200mA | 200KHz | 30 (min) | TO1 | | OC78N |
Ge | pnp | 200mW | 20V | 12V | 10V | 200mA | 500KHz | 25 (min) | TO1 | | OC79N |
Ge | pnp | 200mW | 20V | 12V | 12V | 200mA | 500KHz | 25 (min) | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 072 180