| Ваш IP: 18.218.186.133 | Online(21) - гости: 9, боты: 12 | Загрузка сервера: 0.76 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1370
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N1370

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 200mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 45 ... 165
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: ELN
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
ACY35 Gepnp200mW30V10V10V200mA200KHz30 (min) TO1
OC78N Gepnp200mW20V12V10V200mA500KHz25 (min) TO1
OC79N Gepnp200mW20V12V12V200mA500KHz25 (min) TO1
Просмотров: 2 434 104