| Ваш IP: 18.219.47.239 | Online(67) - гости: 6, боты: 61 | Загрузка сервера: 0.57 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2S56
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2S56

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 70 pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1266 Gepnp80mW20V10V10V150mA300KHz11 ... 36TO22
2SA18 Gepnp80mW21V12V12V150mA6MHz150TO1
2SA18H Gepnp80mW21V12V12V150mA9MHz140TO1
Просмотров: 3 086 015