| Ваш IP: 3.145.165.184 | Online(136) - гости: 114, боты: 21 | Загрузка сервера: 3.84 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2S327
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2S327

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 165°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 65 pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2S307 Sipnp50mW15V15V15V10mA1MHz30 (min) TO5
2SA180 Gepnp50mW15V12V15V10mA4MHz35 (min) TO1
2SA181 Gepnp50mW15V12V15V10mA2MHz30 (min) TO1
2SA182 Gepnp50mW15V12V15V10mA2MHz30 (min) TO1
2SA183 Gepnp50mW15V12V15V10mA7MHz30TO1
2SA184 Gepnp50mW15V12V15V10mA1MHz25 (min) TO1
GET873 Gepnp55mW15V12V15V10mA2MHz20 (min) TO1
GET874 Gepnp55mW15V12V15V10mA4MHz30 (min) TO1
GET875 Gepnp55mW15V12V15V10mA8MHz50 (min) TO1
Просмотров: 2 519 382