| Ваш IP: 3.147.58.119 | Online(119) - гости: 100, боты: 19 | Загрузка сервера: 1.25 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2S168
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2S168

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 175mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 175mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 15 pF
  • Производитель: NEC
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
OC78N Gepnp200mW20V12V10V200mA500KHz25 (min) TO1
OC79N Gepnp200mW20V12V12V200mA500KHz25 (min) TO1
SFT151 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz30X01
SFT152 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz50X01
SFT153 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz80X01
Просмотров: 2 518 453