| Ваш IP: 3.14.135.82 | Online(48) - гости: 9, боты: 38 | Загрузка сервера: 1.92 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2S167
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2S167

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 125mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 15 pF
  • Производитель: NEC
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N1265 Gepnp100mW20V10V10V100mA1MHz25 ... 90TO5
2N1265-5 Gepnp100mW20V10V10V100mA1MHz6 ... 18TO5
2N450 Gepnp150mW20V12V10V125mA4MHz30 (min) TO5
ASY56N Gepnp100mW16V10V12V100mA2MHz25 (min) TO1
ASY57N Gepnp100mW16V10V12V100mA4MHz30 (min) TO1
ASY58N Gepnp100mW16V10V12V100mA7MHz40 (min) TO1
ASY59N Gepnp100mW16V10V12V100mA12MHz60 (min) TO1
SFT151 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz30X01
SFT152 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz50X01
SFT153 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz80X01
SFT300 Gepnp150mW18V12V12V100mA2MHz28TO1
SFT307 Gepnp150mW18V12V12V100mA3MHz40TO1
SFT308 Gepnp150mW18V12V12V100mA6MHz70TO1
Просмотров: 3 085 922