| Ваш IP: 52.15.170.196 | Online(24) - гости: 2, боты: 22 | Загрузка сервера: 1.2 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2S166
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2S166

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 180mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 50 pF
  • Производитель: NEC
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
ACY34 Gepnp200mW30V10V10V100mA500KHz20 (min) TO1
Просмотров: 3 085 770