| Ваш IP: 3.137.164.229 | Online(89) - гости: 2, боты: 86 | Загрузка сервера: 0.83 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2S112
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2S112

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 35mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 1V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 1V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 45
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO44-1
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 085 227