Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N860Основные параметры биполярного транзистора 2N860
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 ... 40
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 10 pF
- Производитель: IDI
- Корпус: TO18
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус2N4276 |
Ge | pnp | 170W | 30V | 20V | 20V | 60A | 120KHz | 60 ... 180 | TO3 | 2N4277 |
Ge | pnp | 170W | 30V | 20V | 20V | 60A | 240KHz | 120 (min) | TO3 | MP4276 |
Ge | pnp | 170W | 30V | 20V | 20V | 60A | 120KHz | 60 ... 180 | TO3 | MP4277 |
Ge | pnp | 170W | 30V | 20V | 20V | 60A | 240KHz | 120 (min) | TO3 | |
|
|
| |
Просмотров: 3 075 775