| Ваш IP: 3.145.37.219 | Online(47) - гости: 5, боты: 42 | Загрузка сервера: 1.37 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N807
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N807

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: RAYTHEON
  • Корпус: U8
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1158 Gepnp60mW20V--100mA2MHz6 (min) TO9
2N1158A Gepnp60mW20V--100mA2MHz50TO9
2N3412 Gepnp60mW20V--100mA100MHz25 (min) TO5
T1806 Gepnp60mW20V--100mA2MHz6 (min) TO9
T1895 Gepnp60mW20V--100mA2MHz50TO9
Просмотров: 3 085 827