| Ваш IP: 18.118.0.48 | Online(65) - гости: боты: 65 | Загрузка сервера: 0.64 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N779
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N779

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 60mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 ... 200
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
  • Производитель: IDC
  • Корпус: TO18
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1436 Gepnp50mW15V--50mA-20 (min) TO9
2N588A Gepnp60mW15V--50mA60MHz30 (min) TO1
2SA1230 Sipnp50mW15V--50mA8GHz120 (min) TO131
2SA1231 Sipnp50mW15V--50mA8GHz150TO71-2
Просмотров: 3 084 565