Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1265Основные параметры биполярного транзистора 2N1265
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 25 ... 90
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 25 pF
- Производитель: CSR
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1265-5 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | 10V | 10V | 100mA | 1MHz | 6 ... 18 | TO5 | | ASY56N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 2MHz | 25 (min) | TO1 | | ASY57N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 4MHz | 30 (min) | TO1 | | ASY58N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 7MHz | 40 (min) | TO1 | | ASY59N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 12MHz | 60 (min) | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 071 999