Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N670Основные параметры биполярного транзистора 2N670
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 40V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 40V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 140°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 250
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: PHO
- Корпус: TO30
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| T1347 |
Ge | pnp | 300mW | 40V | 40V | 40V | 2A | 500KHz | 40 ... 250 | TO30 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 081 636