| Ваш IP: 13.59.38.113 | Online(151) - гости: 137, боты: 14 | Загрузка сервера: 1.06 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N655
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N655

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 25V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 25V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 250mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
  • Производитель: ELN
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N653 Gepnp200mW30V30V25V250mA1.5MHz30 ... 70TO5
2N654 Gepnp200mW30V30V25V250mA2MHz50 ... 125TO5
2SA206 Gepnp200mW30V20V20V200mA3MHz60TO5
TK24 Gepnp200mW30V20V30V200mA2MHz35X18
TK24B Gepnp200mW30V20V30V200mA2MHz35X18
TK24C Gepnp200mW30V20V30V200mA2MHz35X18
KT208D Sipnp200mW30V30V20V300mA5MHz40 ... 120
KT208E Sipnp200mW30V30V20V300mA5MHz80 ... 240
KT208G Sipnp200mW30V30V20V300mA5MHz20 ... 60
Просмотров: 2 517 803