Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N652Основные параметры биполярного транзистора 2N652
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 30V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.2MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
- Производитель: ELN
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1185 |
Ge | pnp | 200mW | 45V | 30V | 30V | 500mA | 1.4MHz | 130 (min) | TO5 | | 2N3427 |
Ge | pnp | 200mW | 45V | 30V | 30V | 500mA | 4MHz | 75 (min) | TO5 | | 2N3428 |
Ge | pnp | 200mW | 45V | 30V | 30V | 500mA | 5MHz | 125 (min) | TO5 | | SFT241 |
Ge | pnp | 225mW | 45V | 35V | 25V | 500mA | 500KHz | 45 | TO5 | | SFT242 |
Ge | pnp | 225mW | 45V | 30V | 25V | 550mA | 1MHz | 70 | TO5 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 084 877