| Ваш IP: 18.221.68.196 | Online(77) - гости: 5, боты: 72 | Загрузка сервера: 0.69 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N650
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N650

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 200mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 45V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 750KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 20 pF
  • Производитель: ELN
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1185 Gepnp200mW45V30V30V500mA1.4MHz130 (min) TO5
2N3427 Gepnp200mW45V30V30V500mA4MHz75 (min) TO5
2N3428 Gepnp200mW45V30V30V500mA5MHz125 (min) TO5
SFT241 Gepnp225mW45V35V25V500mA500KHz45TO5
SFT242 Gepnp225mW45V30V25V550mA1MHz70TO5
Просмотров: 3 083 700