| Ваш IP: 18.188.219.131 | Online(55) - гости: 2, боты: 53 | Загрузка сервера: 1.83 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N1232
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2N1232

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 400mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 60V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 60V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 60V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 14 ... 32
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 180 pF
  • Производитель: ELN
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1232A Sipnp400mW60V60V60V100mA500KHz25 ... 65TO5
Просмотров: 3 072 001